Toshiba увеличит память смартфонов до 128 Гб

Японская корпорация Toshiba, пострадавшая от землетрясения, представила первые образцы энергонезависимой flash-памяти. Новые чипы NAND созданы по техпроцессу 19 нм и имеют емкость 8 Гб. В краткосрочной перспективе производитель обещает выпустить модули с 16 чипами, то есть объемом 128 Гб.

В первую очередь flash-память Toshiba используется в портативной электронике, в том числе смартфонах и планшетах. Таким образом, уже довольно скоро портативные гаджеты будут способны похвастаться большим объемом памяти. Правда, поначалу это будут исключительно решения premium-класса. Более или менее доступные устройства, скорее всего, будут комплектоваться 32 и 64 Гб памяти, созданной из новых чипов Toshiba.

По сообщениям наших коллег, в настоящее время Toshiba направила опытные образцы своим партнерам. Массовое производство гигант намерен начать летом 2011 года. Это может означать, что новые чипы NAND flash-памяти Toshiba найдут применения в решениях конца 2011 года.